陶瓷覆銅載板是高壓大功率IGBT模塊的重要組成部件,既具有陶瓷的高導(dǎo)熱、高電氣絕緣、較高機(jī)械強(qiáng)度等特性,又具有無氧銅的高導(dǎo)電性和優(yōu)良焊接性能,還能制作出各種圖形,是適用于SIC芯片、大功率IGBT模塊、半導(dǎo)體制冷制熱器件的封裝材料。
氮化硅(Si3N4),是一種以硅和氮為主要成分的無機(jī)非金屬材料,以其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì),在材料科學(xué)領(lǐng)域大放異彩。富樂華氮化硅陶瓷片,采用先進(jìn)的制備工藝,不僅保留了氮化硅高硬度、高耐磨性、高熱穩(wěn)定性和良好的化學(xué)惰性,更在微觀結(jié)構(gòu)和性能表現(xiàn)上實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化,強(qiáng)度更高、韌性更強(qiáng)、熱導(dǎo)更高。